来源:蔡莲
据媒体报道，中国正在计划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中。发展国内半导体技术以应对外部限制。
知情人士称，中国计划在2021到2025年的五年之内，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面对第三代半导体发展提供广泛支持。称未来五年的经济战略包括在无线网络和人工智能等技术领域投资约1.4万亿美元。
昨日下午，受相关消息影响，概念股乾照光电等相关指标直线上升。
Century Securities分析师陈建生表示，第三代半导体材料是功率半导体飞跃的基石。
与传统硅材料相比，第三代半导体材料，即宽带隙半导体材料，是指带隙为2.3eV及以上的半导体材料。目前，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)较为成熟。更适合制造耐高温、耐高压、耐高电流的高频大功率器件。
华创证券指出，随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求越来越大，对器件可靠性和性能指标的要求也越来越严格。以碳化硅为代表的第三代半导体逐渐被市场所重视。覆盖材料、器件、模块和应用的完整产业链已经在国际上形成，新一轮全球产业升级已经开始。
自2000年以来，第三代半导体相关专利申请快速增长，美国在早期引领全球专利增长。近年来，中国的申请数量迅速增长，超过了美国。英飞凌和圣罗兰等全球功率半导体巨头，以及华润微和CRRC时报半导体等国内功率制造商都专注于这一领域的研究。
为了发展功率半导体，华为也开始了第三代半导体材料的布局。2019年8月，华为的子公司哈勃科技投资有限公司(Hubble Technology Investment Co ltd .)投资了碳化硅行业的领军企业山东田玉娥，持有该公司10%的股份。
以下为财联社联合星矿数据梳理各机构关于第三代半导体材料核心标的，其中碳化硅概念股包括台基股份、露笑科技，氮化镓概念股包括海特高新、扬杰科技、士兰微、闻泰科技、三安光电、华润微等。
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